[发明专利]一种带有渐变式DBR层的蓝光LED外延结构在审
申请号: | 201410494268.5 | 申请日: | 2014-09-24 |
公开(公告)号: | CN104253184A | 公开(公告)日: | 2014-12-31 |
发明(设计)人: | 田海军;韩蕊蕊;马淑芳 | 申请(专利权)人: | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/10 | 分类号: | H01L33/10;H01L33/02 |
代理公司: | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人: | 董芙蓉 |
地址: | 041600 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明公开了一种带有渐变式DBR层的蓝光LED外延结构,涉及LED技术领域。其结构由下至上依次为:蓝宝石衬底,低温GaN缓冲层,渐变式布拉格反射层(DBR),n型GaN层,多量子阱发光层,p型AlGaN,p型GaN接触层。本发明的优点是:在蓝光LED外延结构中生长渐变式DBR,提高外延片出光效率。采用渐变式DBR可以反射有源区向下射向衬底的光,使其光路改变向顶部射出。渐变式DBR既能反射小角度入射光又能反射大角度入射光,进而提高发光二极管器件的亮度。该外延结构制备工艺简单、易于实施,便于推广应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 带有 渐变 dbr led 外延 结构 | ||
【主权项】:
一种带有渐变式DBR结构的蓝光LED外延结构,其特征在于:所述结构由下至上依次为:衬底,低温GaN缓冲层,分布布拉格反射层(DBR),n型GaN层,多量子阱发光层,p型AlGaN,p型GaN接触层;所述分布布拉格反射层是渐变式布拉格反射器(DBR)结构。
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