[发明专利]发光二极管、发光二极管模块和制造发光二极管的方法有效
| 申请号： | 201410495832.5 | 申请日： | 2014-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN104465942B | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 蔡钟炫;卢元英;李俊燮;姜珉佑;张锺敏;金贤儿;裴善敏;徐大雄 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;王占杰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在此公开了一种发光二极管、一种发光二极管模块和一种制造发光二极管的方法。所述发光二极管包括：第一导电型半导体层；台阶，设置在第一导电型半导体层上，并且包括活性层和第二导电型半导体层；第一欧姆接触结构，与第一导电型半导体层接触；第二欧姆接触结构，与在台阶上的第二导电型半导体层接触；下绝缘层，覆盖台阶和第一导电型半导体层，并且具有暴露第一欧姆接触结构的第一开口部分和暴露第二欧姆接触结构的第二开口部分；以及电流分布层，连接到通过下绝缘层的第一开口部分而暴露的第一欧姆接触结构，并且具有暴露第二开口部分的第三开口部分。 | ||
| 搜索关键词： | 导电型半导体层 发光二极管 欧姆接触 开口 发光二极管模块 暴露 下绝缘层 电流分布层 活性层 制造 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，所述发光二极管包括：第一导电型半导体层；台阶，设置在第一导电型半导体层上，并且包括活性层和第二导电型半导体层；第一欧姆接触结构，与第一导电型半导体层接触；第二欧姆接触结构，与在台阶上的第二导电型半导体层接触；下绝缘层，覆盖台阶和第一导电型半导体层，并且具有暴露第一欧姆接触结构的第一开口部分和暴露第二欧姆接触结构的第二开口部分；电流分布层，连接到通过下绝缘层的第一开口部分而暴露的第一欧姆接触结构，并且具有暴露第二开口部分的第三开口部分；以及防扩散增强层，设置在电流分布层的第三开口部分中并且连接到通过第二开口部分而暴露的第二欧姆接触结构，其中，电流分布层和防扩散增强层设置在下绝缘层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于首尔伟傲世有限公司，未经首尔伟傲世有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410495832.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种密闭工作的压力行程开关
- 下一篇：用于插塞连接器的接触配件
