[发明专利]压电体薄膜元件、其制造方法、以及电子设备

摘要

一种压电体薄膜元件的制造方法和由其得到的压电体薄膜元件，该制造方法能够以不使压电体特性劣化来精细加工出使用不含铅的铌酸碱系压电体的薄膜元件。铌酸碱系压电体薄膜元件具有如下特征：具备基板、在上述基板上形成的下部电极膜、在上述下部电极膜上形成的压电体薄膜、在上述压电体薄膜上形成的上部电极膜，该压电体薄膜由铌酸碱系压电体(组成式为(Na_xK_yLi_z)NbO₃，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.2、x+y+z＝1)构成，在上述压电体薄膜加工有作为元件的精细图案且包含金属元素，其在所述压电体薄膜的所述上部电极膜侧的浓度比所述下部电极膜侧的浓度高，以上述压电体薄膜的厚度一半的位置为中心，在上述厚度±15％的区域，上述金属元素的平均浓度为5×10¹⁷atoms/cm³以下。

主权项

1.一种铌酸碱系压电体薄膜元件，其特征在于，具备基板、在所述基板上形成的下部电极膜、在所述下部电极膜上形成的压电体薄膜、在所述压电体薄膜上形成的上部电极膜，所述压电体薄膜由铌酸碱系压电体构成，所述铌酸碱系压电体的组成式为(NaxKyLiz)NbO3，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.2、x+y+z＝1，在所述压电体薄膜加工有作为元件的精细图案，并且包含金属元素，该金属元素在所述压电体薄膜的所述上部电极膜侧的浓度比所述下部电极膜侧的浓度高，以所述压电体薄膜的厚度的一半的位置为中心，在所述厚度的±15％的区域内，所述金属元素的平均浓度为1×1017atoms/cm3以上且5×1017atoms/cm3以下，所述金属元素是铬、金或铂。