[发明专利]一种金属掺杂共混聚酰亚胺导电薄膜的制备方法在审
申请号: | 201410499016.1 | 申请日: | 2014-09-26 |
公开(公告)号: | CN104292484A | 公开(公告)日: | 2015-01-21 |
发明(设计)人: | 苏建丽 | 申请(专利权)人: | 青岛文创科技有限公司 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08L79/08;C08K3/22;C08G73/10 |
代理公司: | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人: | 钟廷良 |
地址: | 266061 山东省青岛市崂山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明的一种金属掺杂共混聚酰亚胺导电薄膜的制备方法,步骤为:(1)向容器中加入溶剂环氧丙烷、杂环胺及ODA,边搅拌边加入PMDA,反应3h生成聚酰胺酸溶液;(2)在上述溶液中加入氧化铬粉末,进行超声处理2h,超声过程中保持温度为25-35℃,得到氧化铬-聚酰胺酸溶液;(3)将上述溶液在玻璃板上进行铺膜并刮平,在普通烘箱中除去溶剂环氧丙烷,再放置于真空烘箱中,使得氧化铬-聚酰胺酸亚胺化完全,从而得到金属掺杂共混聚酰亚胺导电薄膜。本发明可以降低聚酰亚胺的表面电导率,防止静电,扩大其应用范围。 | ||
搜索关键词: | 一种 金属 掺杂 聚酰亚胺 导电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种金属掺杂共混聚酰亚胺导电薄膜的制备方法,其特征在于:步骤为:(1) 向容器中加入溶剂环氧丙烷、ODA与杂环胺,边搅拌边加入PMDA,反应3h生成共混聚酰胺酸溶液;所述PMDA、ODA、杂环胺的质量比为1:0.5:0.2;(2) 在上述溶液中加入氧化铬粉末,进行超声处理2h,超声过程中保持温度为25‑35℃,得到氧化铬‑聚酰胺酸溶液;所述氧化铬的质量为PMDA质量的0.05%;(3) 将上述溶液在玻璃板上进行铺膜并刮平,在普通烘箱中除去溶剂环氧丙烷,再放置于真空烘箱中,使得氧化铬‑共混聚酰胺酸亚胺化完全,从而得到金属掺杂共混聚酰亚胺导电薄膜。
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