[发明专利]一种高紫外透光率的P型欧姆接触层制备方法

摘要

本发明是一种新的紫外LED芯片P型欧姆接触层的制备方法，该方法根据增透膜原理，同时考虑到ITO对紫外的吸收以及ITO膜的方阻，通过优化ITO膜层的蒸镀参数并对ITO膜进行图形化，从而提高紫外LED芯片的外量子效率，进而提高LED芯片亮度；并结合对氮气保护下退火工艺的优化，使ITO膜的致密性以及膜质量更好，有利于ITO膜与氮化镓的接触，形成图形化的P型欧姆接触层，降低芯片电压。

主权项

一种高紫外透光率的P型欧姆接触层制备方法，主要包括以下环节：(1)ITO膜蒸镀使用真空镀膜机在表面处理后的紫外LED外延片上进行ITO薄膜蒸镀，蒸镀使用材料为质量比In₂O₃/SnO₂＝95:5的高密ITO料，蒸发过程中温度260～290℃，通入的氧气流量为3.0～5.0sccm，薄膜沉积速率小于薄膜蒸发厚度115～155nm；(2)光刻图形对ITO膜表面旋涂光刻胶并对其进行曝光，使得曝光显影后光刻胶上均匀分布直径小于2μm的圆柱状通孔，相邻通孔圆心之间的距离小于4μm；100℃下烘烤30min；(3)ITO图形化对ITO膜层进行腐蚀处理，然后使用去光阻剂浸泡去除光刻胶，再依次使用ACE(丙酮)及IPA(异丙醇)分别浸泡处理，完成ITO图形化，此时ITO膜表面均匀分布直径小于2μm的圆柱状通孔，相邻通孔圆心之间的距离小于4μm；(4)欧姆接触退火氮气保护环境下470～520℃退火15～20min，氮气流量为2L/min；图形化的P型欧姆接触层即制备完成。