[发明专利]一种去除含Si笼状化合物中硅及含硅化合物杂相的方法

摘要

一种去除含Si笼状化合物中包含的硅及硅化物杂相的方法，属于材料制备领域。其步骤为按照预合成的含Si笼状化合物的分子式，称量高纯单质元素作为原料。按照常规的方法冶炼样品。研磨并球磨冶炼所获得的合金。使用碱溶液浸泡球磨后的粉末12小时。过滤上述溶液，使用稀盐酸处理过滤得到的粉末。再次过滤，并用去离子水反复冲洗过滤得到的粉末。干燥上步所获的粉末，得到目标样品。本发明利用含Si笼状化合物耐酸、耐碱的特点，采用碱液浸泡的方式，有效地去除含Si笼状化合物中的杂相硅。结合酸液浸泡的方法，可获得纯相的含Si笼状化合物。该方法是一种去除含Si笼状化合物包含的杂相的普适的方法。

主权项

一种去除含Si笼状化合物中包含的硅及硅化物杂相的方法，其特征在于包括如下步骤：(1)按照预合成的含Si笼状化合物的分子式，称量高纯单质元素作为原料；(2)按常规的方法冶炼样品；(3)将冶炼所得合金敲碎，于研钵中进行充分研磨；(4)使用高能球磨机球磨研磨后的粉末，球磨时间为20～40分钟；(5)碱洗：将球磨后的粉末倒入碱溶液中浸泡12小时；(6)过滤溶液，获得过滤后的粉末；(7)酸洗：将粉末倒入稀盐酸溶液中，并用玻璃棒不断的搅拌溶液；(8)过滤溶液，并用去离子水反复冲洗过滤后的粉末；(9)干燥粉末，得到最终样品。