[发明专利]使用晶格调整的晶畴匹配外延的化合物半导体的外延生长

摘要

本发明涉及使用晶格调整的晶畴匹配外延的化合物半导体的外延生长。公开了一种使用晶体基板外延生长最终膜的方法，其中最终膜无法直接生长在晶体基板的表面上。该方法包括在晶体基板的上表面上形成过渡层。过渡层的晶格间距在过渡层的上表面与过渡层的下表面之间变化。过渡层的下表面处的晶格间距与晶体基板的晶格间距匹配在7％的第一晶格失配度内。过渡层的上表面处的晶格间距与最终膜的晶格间距匹配在7％的第二晶格失配度内。该方法还包括在过渡层的上表面上形成最终膜。

主权项

一种使用晶体基板外延生长具有晶格间距aF的期望膜的方法，该晶体基板具有上表面及晶格间距aS，该方法包括:在该晶体基板的该上表面上形成至少一个过渡层，该至少一个过渡层具有下表面、上表面、厚度h以及晶格间距aT(z)，该晶格间距aT(z)在该至少一个过渡层的该下表面与该上表面之间变化，使得该至少一个过渡层的该下表面处的晶格间距aT(0)满足m·aT(0)＝n·aS且在7％的第一晶格失配度内，其中m与n为整数，并且该至少一个过渡层的该上表面处的晶格间距aT(h)满足i·aT(h)＝j·aF的关系且在7％内的第二晶格失配度内，其中i与j为整数；以及在该过渡层的该上表面上形成该期望膜。