[发明专利]LDMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410499784.7 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN105514160B | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张海强 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述器件包括：衬底，所述衬底中具有相邻的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区具有不同的导电类型；所述第二掺杂区中具有浅沟槽隔离STI区；位于衬底上的栅极结构，所述栅极结构与所述第二掺杂区基本不交叠(例如，交叠小于50nm)。本公开实施例可以改善CMP过程中的凹陷问题。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂区 衬底 栅极结构 交叠 半导体技术领域 浅沟槽隔离 导电类型 凹陷 制造 | ||
【主权项】：
1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中具有相邻的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区具有不同的导电类型；所述第二掺杂区中具有浅沟槽隔离STI区；位于衬底上的栅极结构；其中，所述衬底上形成有第一鳍片结构和第二鳍片结构，所述第一鳍片结构包括第一掺杂区的一部分和第二掺杂区的一部分，所述第二鳍片结构包括第二掺杂区的一部分，所述STI区位于所述第一鳍片结构和第二鳍片结构之间的第二掺杂区中；所述栅极结构横跨于所述第一鳍片结构上，且与所述第一鳍片结构的第二掺杂区不交叠，或者交叠小于50nm。
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