[发明专利]一种基于硅通孔的片上半导体器件结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201410499849.8 | 申请日： | 2014-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN104332455B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 何晓锋;黄海 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种基于硅通孔的片上半导体器件结构及其制备方法。本发明通过建立一种充分利用晶圆正面和背面的架构及实施方法，在晶圆的正面和背面均制备半导体层和包含有金属互连线的金属互连层，同时采用硅穿孔技术实现晶圆背面与正面金属互连线的连接，之后利用刻蚀技术形成开口，同时在背面金属互连上表面设置带有凸块的开口，填充金属，使凸块将晶圆正、背面的绝缘层中需要引出的金属互连线引出。通过本方法，在很大程度上节约了晶圆成本，同时又降低了片上系统的制造成本，在此基础之上还实现了片上系统内部子系统的3D架构，互联更加灵活，互连线更短，提高性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 硅通孔 半导体器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于硅通孔的片上半导体器件结构，其特征在于，所述结构包括：第一金属互连层，设置有若干第一金属互连线；第一半导体层，位于所述第一金属互连层之上，且该第一半导体层中设置有若干第一半导体器件，所述第一半导体器件与所述第一金属互连线连接；第二半导体层，位于所述第一半导体层之上，且该第二半导体层中设置有若干第二半导体器件；第二金属互连层，位于所述第二半导体层之上，设置有若干第二金属互连线，且该第二金属互连线与所述第二半导体器件连接；绝缘层，位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，以将所述第一半导体器件与所述第二半导体器件隔离；TSV互连线，依次贯穿所述第二半导体层、所述绝缘层和所述第一半导体层，以将所述第一金属互连线与所述第二金属互连线连接；其中，基于绝缘体上的硅制备所述第一半导体层。
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