[发明专利]一种用于HIT电池的N型硅片清洗制绒方法

摘要

本发明涉及一种用于HIT电池的N型硅片清洗制绒方法，它包括以下步骤(1)采用I号清洗液预清洗,然后去离子水冲洗；(2)高浓度碱性液中反应去除损伤层,然后去离子水冲洗；(3)各向异性腐蚀液中进行制绒,然后去离子水冲洗；(4)RCA清洗,然后去离子水冲洗；(5)HF酸溶液中浸渍去除自然氧化层,然后去离子水冲洗N2吹干。该方法能够更有效的去除硅片表面损伤层，减少表面污染，增大硅片表面金字塔的尺寸，最终得到表面质量较好的N型硅片，在后续的a‑SiH钝化中能得到较好的钝化效果，从而有效的提高HIT电池的效率。

主权项

一种用于HIT电池的N型硅片清洗制绒方法，其特征是，依次包括以下步骤：(1)预清洗：采用I号清洗液对N型硅片进行预清洗去除有机物和颗粒，清洗温度为70℃～85℃，清洗时间为5min～10min；其中I号清洗液为NH4OH、H2O2和H2O的混合液，其NH4OH、H2O2与H2O的体积比为1:(1～2.5):(4～7)；预清洗完成后将N型硅片取出用去离子水冲洗；(2)损伤层去除：将N型硅片在高浓度碱性液中浸渍5min～10min去除损伤层，使得损伤层单面去除为18μm‑22μm；所述高浓度碱性液为质量浓度为15％～20％的KOH溶液；完成损伤层去除后将N型硅片取出用去离子水冲洗；(3)制绒：将N型硅片置入各向异性腐蚀液中进行制绒25min～35min，使得N型硅片表面形成尺寸为5μm～12μm的金字塔结构的绒面，从而降低硅片表面反射率；所述各向异性腐蚀液为KOH与异丙醇的混合液，混合液中KOH的质量浓度为1.5％～3％、异丙醇的体积浓度为5％～10％，所述混合液的温度为70℃～80℃；制绒完成后将N型硅片取出用去离子水冲洗；(4)RCA清洗：用I号清洗液和II号清洗液分别清洗N型硅片5min～10min，进一步去除N型硅片表面颗粒及金属杂质，以减少硅片表面的污染，其中I号清洗液成分如步骤(1)所述，II号清洗液为HCL、H2O2和H2O的混合液，其HCL、H2O2与H2O的体积比1:(1～2.5):(4～7)，I号清洗液和II号清洗液的清洗温度均为70℃～85℃；RCA清洗完成后将N型硅片取出用去离子水冲洗；(5)自然氧化层去除：将N型硅片在HF酸溶液中浸渍10s～20s，以去除硅片表面的自然氧化层，HF酸溶液的体积浓度为1％～3％；自然氧化层去除完成后将N型硅片取出用去离子水冲洗，N2吹干。