[发明专利]制造半导体装置的方法

摘要

本发明公开了一种制造半导体装置的方法，包括：提供半导体结构，该半导体结构包括在基层之上的第1至第N子叠层结构及在所述第N子叠层结构之上的掩模层，其中每一子叠层结构包括两个子叠层；循环移除掩膜层的一部分、移除子叠层结构的暴露部分，形成第一阶梯机构；分别在掩模层的侧壁上和子叠层结构的侧壁上形成第一侧墙，其中每一第一侧墙都覆盖紧接在其下的子叠层结构的当前暴露部分的一部分；以所述掩模层、第一侧墙为掩模，移除所述子叠层结构的当前暴露部分中的最上子叠层；以及去除所述掩模层、第一侧墙，以形成第二阶梯机构。本发明大大减少了掩膜修整‑蚀刻的循环次数，从而提高了生成效率，增加了生成误差容限，降低了生成成本。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括在基层之上的第1至第N子叠层结构以及在所述第N子叠层结构之上的掩模层，其中N是大于1的自然数，并且其中每一子叠层结构都包括两个子叠层，其中，每一子叠层都包括导电材料层和设置在导电材料层之上的绝缘材料层；循环移除掩膜层的一部分、移除子叠层结构的暴露部分，形成第一阶梯机构，其中第一阶梯机构的包含N个台阶和N个台阶之上的掩模层，每个台阶的高度为子叠层结构的厚度；分别在掩模层的侧壁上和子叠层结构的侧壁上形成第一侧墙，其中每一第一侧墙都覆盖紧接在其下的子叠层结构的当前暴露部分的一部分，子叠层结构的侧壁上形成的第一侧墙的高度为所述子叠层结构的厚度；以所述掩模层、第一侧墙为掩模，移除所述子叠层结构的当前暴露部分中的最上子叠层；以及去除所述掩模层、第一侧墙，以形成第二阶梯机构；其中，循环移除掩膜层的一部分、移除子叠层结构的暴露部分，形成第一阶梯机构的步骤包括：移除所述掩模层的第i部分以暴露第N子叠层结构的第i部分，其中i是自然数，并且i＝1到N‑1，并且其中所述掩模层的第i+1部分与第i部分相邻；对于每一个i，移除第(N‑j+1)子叠层结构的暴露部分，以暴露第(N‑j)子叠层结构的第i‑j+1部分，其中j是自然数，并且j＝1到i；移除所述掩模层的与其所述N‑1部分相邻的第N部分以暴露所述第N子叠层结构的第N部分。