[发明专利]电子结构、电池结构、和用于制造电子结构的方法有效
| 申请号： | 201410502518.5 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN104517973B | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | M.莱姆克;S.特根 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/01 | 分类号： | H01L27/01;H01L23/64;H01M10/04;H01M10/42;H01M6/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 申屠伟进,马永利 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子结构、电池结构、和用于制造电子结构的方法。依据各种实施例，可以提供电子结构，所述电子结构可以包含半导体载体，以及与半导体载体单片集成的电池结构，所述电池结构包含多个薄膜电池。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 结构 电池 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电子结构，包括：半导体载体，包括至少第一凹槽，和多个薄膜电池，与所述半导体载体单片集成，所述多个薄膜电池包括：第一薄膜电池的第一电池层堆叠，至少设置在第一凹槽中，以及第二薄膜电池的第二电池层堆叠，至少设置在第一凹槽中并且还在第一凹槽中设置在第一电池层堆叠之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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