[发明专利]静电放电(ESD)电路有效
| 申请号： | 201410502914.8 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN104517957B | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 布鲁斯·J·特施 | 申请（专利权）人： | Qorvo美国公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王萍,陈炜 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开内容的实施方式描述静电放电(ESD)电路以及相关联的技术和配置。在一种实施方式中，ESD电路包括与电源电压节点和接地节点耦接的第一节点；与第一节点和电源电压节点耦接的第一晶体管；与第一节点和接地节点耦接的第二晶体管；与第一晶体管和第二晶体管耦接的第二节点；与第二节点耦接的第三晶体管；以及与第三晶体管耦接的第三节点，其中，用于对第一节点充电的第一时间段小于用于对第三节点放电的第二时间段。可以描述和/或要求保护其他实施方式。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 esd 电路 | ||
【主权项】：
一种静电放电(ESD)电路，包括：与电源电压节点和接地节点耦接的第一节点；与所述第一节点和所述电源电压节点耦接的第一晶体管；与所述第一节点和所述接地节点耦接的第二晶体管；与所述第一晶体管和所述第二晶体管耦接的第二节点；与所述第二节点耦接的第三晶体管；与所述第三晶体管耦接的第三节点，其中，用于对所述第一节点充电的第一时间段小于用于对所述第三节点放电的第二时间段；以及与所述第三节点耦接的第四晶体管，其中，用于对所述第三节点放电的所述第二时间段在所述第三晶体管被设置为关断状态时开始，并且在所述第四晶体管被设置为导通状态时结束。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于Qorvo美国公司，未经Qorvo美国公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410502914.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
