[发明专利]一种制备纳米尺度场效应晶体管的方法

摘要

本发明公开了一种制备纳米尺度场效应晶体管的方法，属于大规模集成电路制造技术领域。该方法的核心是在SOI衬底上外延生长制备纳米尺度场效应晶体管，本发明利用外延工艺可以精确控制纳米尺度器件沟道的材料、形貌，进一步优化器件性能；其次，通过实现不同的沟道掺杂类型和掺杂浓度，可以灵活的调整阈值电压以适应不同IC设计的需要；且可以获得高度方向上宽度一致的栅结构，减小器件的寄生和涨落，同时又能够很好的与CMOS后栅工艺兼容，流程简单，成本较低，可应用于未来大规模半导体器件集成中。

主权项

一种制备纳米尺度场效应晶体管的方法，其特征在于，包括：(a)在SOI衬底上利用减薄工艺减薄硅衬底；(b)离子注入，退火激活形成源漏掺杂；(c)电子束光刻形成细线条图形，各向异性干法刻蚀SOI衬底形成硅细线条结构，停止在氧化隔离层上；(d)淀积介质材料并进行平坦化，作为源漏硬掩膜层；(e)电子束光刻形成凹槽图形，在源漏硬掩膜层上，选择介质材料的刻蚀速率与硅的刻蚀速率相同，各向异性干法刻蚀源漏硬掩膜层和硅细线条，并停止在氧化隔离层上，形成栅线条的凹槽；(f)利用凹槽两侧裸露的硅衬底窗口进行选择性外延，重新形成器件沟道；(g)淀积高k栅介质，然后淀积以及平坦化金属栅材料形成栅叠层结构；(h)形成金属接触，从而完成场效应晶体管的制备。