[发明专利]复合接触插塞结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410503373.0 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN105023908B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 林瑀宏;林圣轩;张志维;周友华;许嘉麟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了示例性接触插塞，其包括双层结构和位于双层结构的侧壁和底面上的扩散阻挡层。该双层结构包括导电核芯和位于导电核芯的侧壁和底面上的导电衬垫。在示例性接触插塞中，导电衬垫包括钴或钌。本发明还提供了复合接触插塞结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 双层结构 导电衬垫 导电核芯 接触插塞 性接触 侧壁 插塞 复合 扩散阻挡层 制造 | ||
【主权项】：
1.一种接触插塞，包括：双层结构，包括：导电核芯；以及导电衬垫，包括位于所述导电核芯的侧壁上的第一部分和位于所述导电核芯的底面上的第二部分，其中，所述导电衬垫包括钴或钌，并且所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度；扩散阻挡层，位于所述双层结构的侧壁和底面上；以及导电膜，仅设置在所述扩散阻挡层的侧壁上。
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