[发明专利]衬底处理装置和半导体器件的制造方法

摘要

本发明的课题在于使形成在衬底上的膜厚和膜的特性在衬底面内不同，并使生产能力提高。本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法，衬底处理装置具有：收纳衬底的处理室；从衬底上方供给第一处理气体的第一处理气体供给部；从衬底上方供给第一反应气体的第一反应气体供给部；从衬底侧方供给第二处理气体的第二处理气体供给部；从衬底侧方供给第二反应气体的第二反应气体供给部；和控制部，其以如下方式控制：在处理气体供给工序和反应气体供给工序中的任一工序或者两个工序中，使向衬底中心侧供给的处理气体供给量与向衬底外周侧供给的处理气体供给量不同、或者使向衬底中心侧供给的反应气体供给量与向衬底外周侧供给的反应气体供给量不同。

主权项

1.一种衬底处理装置，其特征在于，具有：收纳衬底的处理容器；从所述衬底的上方向所述衬底的中心侧供给第一处理气体的第一处理气体供给部；从所述衬底的上方向所述衬底的中心侧供给第一反应气体的第一反应气体供给部；从所述衬底的侧方向所述衬底的外周侧供给第二处理气体的第二处理气体供给部；从所述衬底的侧方向所述衬底的外周侧供给第二反应气体的第二反应气体供给部；活化部，生成所述第一反应气体和所述第二反应气体中的任一或者两者的等离子体；等离子体调节电极，其设于所述处理容器的外侧的所述衬底的上部中心侧，调节所述衬底上的中心侧的所述等离子体的密度和所述衬底上的外周侧的所述等离子体的密度；和控制部，该控制部具有：向所述衬底供给所述第一处理气体和所述第二处理气体的处理气体供给步骤、向所述衬底供给所述第一反应气体和所述第二反应气体的反应气体供给步骤、以及将所述处理气体供给步骤和所述反应气体供给步骤进行一次以上的步骤，并且，所述控制部以如下方式控制所述第一处理气体供给部、所述第二处理气体供给部、所述第一反应气体供给部、和所述第二反应气体供给部、所述活化部和所述等离子体调节电极：在所述处理气体供给步骤和所述反应气体供给步骤中的任一步骤或者两个步骤中，使向所述衬底的中心侧供给的处理气体供给量与向所述衬底的外周侧供给的处理气体供给量不同、或者使向所述衬底的中心侧供给的反应气体供给量与向所述衬底的外周侧供给的反应气体供给量不同。