[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201410505413.5 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN105514162B | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/04;H01L29/24;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供衬底，所述衬底表面具有鳍部，所述鳍部表面的材料为晶态材料；在所述衬底表面形成隔离层，所述隔离层的表面低于鳍部顶部，且所述隔离层覆盖部分鳍部的侧壁，所述隔离层为非晶态材料；在所述隔离层表面和鳍部的侧壁和顶部表面形成沟道层，所述沟道层的材料为拓扑绝缘材料；在所述沟道层表面形成栅介质层；在所述栅介质层表面形成横跨所述鳍部的栅极层。能够防止所形成的鳍式场效应晶体管产生短沟道效应、以及漏电流，提高鳍式场效应晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，提供衬底，所述衬底表面具有鳍部，所述鳍部表面的材料为晶态材料；在所述衬底表面形成隔离层，所述隔离层的表面低于鳍部顶部，且所述隔离层覆盖部分鳍部的侧壁，所述隔离层的材料为非晶态材料；在所述隔离层表面和鳍部的侧壁和顶部表面形成沟道层，所述沟道层的材料为拓扑绝缘材料；在所述沟道层表面形成栅介质层；在所述栅介质层表面形成横跨所述鳍部的栅极层。
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