[发明专利]光刻对准标记结构及形成方法、半导体结构的形成方法有效

专利信息
申请号: 201410505490.0 申请日: 2014-09-26
公开(公告)号: CN105511238B 公开(公告)日: 2017-11-03
发明(设计)人: 蔡博修;黄怡 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G03F9/00 分类号: G03F9/00;H01L23/544
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 万铁占,骆苏华
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种光刻对准标记结构及形成方法、半导体结构的形成方法,其中光刻对准标记结构的形成方法包括提供基底;在基底中形成分别沿第一方向的第一光栅、具有相同光栅常数的第二、三光栅,和沿第二方向的第四光栅;使用光栅衍射技术,根据第一光栅获得第一对准中心,根据第四光栅获得第二对准中心;以第一、二对准中心作为光刻过程的对准中心,在基底上形成相对于第二光栅沿第一方向偏移第一距离的第五光栅;和形成相对于第三光栅沿第一方向的反方向偏移第一距离的第六光栅。使用本光刻对准标记结构的双重二次曝光工艺中,第二次曝光后的器件图形,其实际位置与预设位置的对准误差得到弥补,且相对于第一次曝光后的器件图形套准偏移量减小。
搜索关键词: 光刻 对准 标记 结构 形成 方法 半导体
【主权项】:
一种光刻对准标记结构的形成方法,其特征在于,包括:提供基底;在所述基底中形成分别沿第一方向的第一光栅、具有相同光栅常数的第二光栅和第三光栅,和沿第二方向的第四光栅,所述第二方向和第一方向相互垂直;使用光栅衍射技术,根据所述第一光栅获得沿第一方向的第一对准中心,根据所述第四光栅获得沿第二方向的第二对准中心;以所述第一对准中心作为光刻过程沿第一方向的对准中心、和以所述第二对准中心作为光刻过程沿第二方向的对准中心,在所述基底上形成沿第一方向的第五光栅和第六光栅,所述第二光栅的刻线与第五光栅的刻线交错排布、且所述第五光栅相对于第二光栅沿第一方向偏移第一距离,所述第三光栅的刻线与第六光栅的刻线交错排布、且所述第六光栅相对于第三光栅沿第一方向的反方向偏移第一距离;所述第一光栅、第二光栅、第三光栅、第四光栅、第五光栅和第六光栅作为光刻对准标记结构。
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