[发明专利]垂直器件结构

摘要

本发明提供了垂直器件结构。本发明涉及具有在源极区和漏极区之间延伸的矩形垂直沟道条的垂直晶体管器件及其相关的形成方法。在一些实施例中，垂直晶体管器件包括设置在半导体衬底上方的源极区。具有一个或多个垂直沟道条的沟道区设置在源极区上方。一个或多个垂直沟道条的底面邻接源极区并且具有矩形形状(即，具有四条边的形状，具有不同长度的相邻边和四个直角)。栅极区位于源极区上方并且位于邻接垂直沟道条的位置处，漏极区设置在栅极区和垂直沟道条上方。垂直沟道条的矩形形状提供了具有更好性能和单元区域密度的垂直器件。

主权项

1.一种垂直晶体管器件，包括：源极区，设置在半导体衬底上方；沟道区，包括设置在所述源极区上方的多个垂直沟道条，其中，所述多个垂直沟道条的底面邻接所述源极区并具有矩形形状；单个栅极区，位于所述源极区上方，并且位于通过栅极介电层与所述多个垂直沟道条的侧壁间隔开的位置处，所述单个栅极区围绕所述多个垂直沟道条，并且所述多个垂直沟道条均受控于所述单个栅极区；以及漏极区，设置在所述单个栅极区和所述多个垂直沟道条上方，其中，所述多个垂直沟道条分别具有两条第一相对边和两条第二相对边，所述两条第一相对边具有长度，所述两条第二相对边具有小于所述长度的宽度；以及其中，所述多个垂直沟道条的两条第一相对边在所述源极区上方定向为平行，其中，所述多个垂直沟道条的两条第一相对边在垂直于或平行于所述源极区的长度的方向上延伸。