[发明专利]绝缘栅双极晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201410507503.8 | 申请日： | 2014-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN105304694B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 陈鲁夫;陈柏安 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 汤在彦 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法，绝缘栅双极晶体管包括发射极电极、集电极电极、第一导电型态的集电极层、第二导电型态的掺杂层、第二导电型态的集电极层以及第一导电型态的基极层。发射极电极与集电极电极分别位于绝缘栅双极晶体管的相对两侧。第一导电型态的集电极层接触集电极电极的第一表面。第二导电型态的掺杂层覆盖该第一导电型态的集电极层。第二导电型态的集电极层接触集电极电极的第二表面。第一导电型态的集电极层与第二导电型态的集电极层交替设置。第一导电型态的基极层用以阻隔第二导电型态的集电极层与第一导电型态的集电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，该绝缘栅双极晶体管包括：一发射极电极；一集电极电极，其中该发射极电极与该集电极电极分别位于该绝缘栅双极晶体管的相对两侧，且该集电极电极包含远离该发射极电极的一第三表面；一第一导电型态的集电极层，接触该集电极电极的一第一表面；一第二导电型态的掺杂层，覆盖该第一导电型态的集电极层；一第二导电型态的集电极层，接触该集电极电极的一第二表面，其中该第一导电型态的集电极层在该集电极电极的该第三表面上的正投影与该第二导电型态的集电极层在该集电极电极的该第三表面上的正投影部分重叠且彼此交错；以及一第一导电型态的基极层，用以阻隔该第二导电型态的集电极层与该第一导电型态的集电极层。
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