[发明专利]金属氧化物-导电聚合物-醇组合物、其制备方法及应用有效

专利信息
申请号: 201410508249.3 申请日: 2014-09-28
公开(公告)号: CN105098073B 公开(公告)日: 2018-11-09
发明(设计)人: 骆群;马昌期 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00;H01L51/46;H01L51/54
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 王锋
地址: 215123 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种金属氧化物‑导电聚合物‑醇组合物、其制备方法及应用。该组合物包含:至少一种半导体金属氧化物,主要以纳米颗粒的形态均匀分散于所述组合物中;至少一种导电聚合物,所述导电聚合物包含至少一种共轭高分子;以及,包含至少一种有机醇的溶剂,用以使所述组合物呈流体状,并提高该组合物在有机薄膜表面的浸润性;在该制备方法中,半导体纳米金属氧化物颗粒可由金属或者其氧化物粉末通过与双氧水反应直接制备而得,且所述组合物的表面能可以通过金属氧化物与导电聚合物之间的比例进行调节。由本发明组合物沉积制得的薄膜可以作为有机电子器件中的缓冲层,实现金属电极与有机活性层之间的欧姆接触。
搜索关键词: 金属 氧化物 导电 聚合物 组合 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种有机光电器件,所述有机光电器件为倒置结构的且包含有空穴缓冲层,或者,所述有机光电器件为正置结构的且包含有电子缓冲层,所述的倒置结构为:基底/阴极/电子缓冲层/活性层/空穴缓冲层/阳极,所述的正置结构为:基底/阳极/空穴缓冲层/活性层/电子缓冲层/阴极,所述空穴缓冲层或电子缓冲层由金属氧化物‑导电聚合物‑醇组合物直接在有机活性层表面形成,其特征在于,所述组合物包括至少一种半导体金属氧化物、至少一种导电聚合物和溶剂,所述半导体金属氧化物以纳米颗粒的形态加入并均匀分散于所述组合物中,所述导电聚合物包含至少一种共轭高分子与至少一种酸性助溶剂形成的复合物,所述溶剂用以使所述组合物呈流体状以及提高所述组合物在有机薄膜表面的浸润性,所述溶剂选自至少一种有机醇;并且,所述组合物的制备方法包括:(1)取半导体金属和/或金属氧化物粉体与双氧水在第一溶剂中混合进行氧化反应,而后将反应混合物静置,弃去沉淀物,并除去所获上清液中的溶剂,获得半导体纳米金属氧化物颗粒,所述半导体金属和/或金属氧化物粉体中所含的金属元素包括钼、钒、钨、镍、锌、钛中的任意一种或两种以上的组合;(2)将步骤(1)所获半导体纳米金属氧化物颗粒均匀分散于第二溶剂中,并进行离心处理,而后取上清液加入第三溶剂,再超声分散,形成含纳米金属氧化物的墨水;(3)将步骤(2)所获含纳米金属氧化物的墨水与主要由导电聚合物和第四溶剂组成的导电聚合物分散液在室温下均匀混合,形成所述金属氧化物‑导电聚合物‑醇组合物;其中,所述第一溶剂、第二溶剂、第三溶剂和第四溶剂选自乙醇、丙醇和异丙醇中的任一种或两种以上的组合。
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