[发明专利]一种低应力深紫外多层膜的制备方法无效
| 申请号： | 201410508395.6 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN104297819A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 才玺坤;梅林;时光;武潇野;张立超;隋永新;杨怀江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | G02B1/10 | 分类号： | G02B1/10;G02B1/11 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 南小平 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低应力深紫外多层膜的制备方法，采用离子束溅射制备氟化物薄膜，通过工艺优化选择合适的镀膜窗口，使沉积的高低折射率材料分别具有压应力和张应力，同时具有较低的光学损耗。采用这两种材料制备深紫外多层膜时，可以相互抵消大部分应力，使得多层膜的残余应力较低。该方法包括以下步骤：将融石英基底进行超声波清洗，慢提拉脱水，加热烘干；使用离子源对基底进行预处理，去除表面吸附物；离子源清洁完成后，根据设计的膜层结构，采用离子束溅射方法制备深紫外多层膜。本发明有效克服了热蒸发方法制备的氟化物内部填充密度低及残余应力较大的缺点，保证多层膜具有较低应力的同时，又有良好的深紫外光学应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应力 深紫 多层 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低应力深紫外多层膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)对基底进行预处理；(2)选取AlF3和GdF3作为镀膜材料；(3)使用Essential Macleod软件设计膜层结构，根据设计好的膜层结构采用离子束溅射方法制备得到低应力深紫外多层膜；制备AlF3薄膜的工艺窗口为：离子束束压600～700V，束流175～225mA；制备GdF3薄膜的工艺窗口为：离子束束压700～900V，束流175～225mA。
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