[发明专利]PNIN型InGaAs红外探测器

摘要

本发明提供一种PNIN型InGaAs红外探测器，涉及光电子材料与器件的应用领域。PNIN型InGaAs红外探测器，该探测器是依次包括衬底、缓冲层、扩展波长的InGaAs吸收层、n型插入层和盖层的PNIN型探测器结构；其中，所述的n型插入层的厚度为50nm～150nm，其组分与所述扩展波长的InGaAs吸收层的组分相同。本发明的红外探测器增加的n型插入层能够通过产生带阶，抑制载流子的输运，导致暗电流降低，进而提高红外探测器的光电性能。同时降低了对InGaAs材料外延生长的要求，并可在更广泛的波长范围工作。本发明的红外探测器适用于背面进光及倒扣封装结构，具有很好的通用性。

主权项

一种PNIN型InGaAs红外探测器，其特征在于，该探测器是依次包括衬底、缓冲层、扩展波长的InGaAs吸收层、n型插入层和盖层的PNIN型探测器结构；其中，所述的n型插入层的厚度为50nm～150nm，其组分与所述扩展波长的InGaAs吸收层的组分相同；所述盖层是与扩展波长的InGaAs吸收层晶格匹配的掺Be的p型InAlAs或p型InAsP材料。