[发明专利]有机EL装置和电子设备在审
申请号: | 201410508502.5 | 申请日: | 2009-10-13 |
公开(公告)号: | CN104377228A | 公开(公告)日: | 2015-02-25 |
发明(设计)人: | 北林厚史;后藤正嗣;三泽龙平 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李洋;舒艳君 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供降低了因功能层的膜厚变动引起的亮度不均的有机EL装置及电子设备。该有机EL装置具备:包含基板的基底层;隔壁部,形成在基底层上,相互地划分相邻的第1膜形成区域(7a)和第2膜形成区域(7b);有机EL元件(20G),形成在基底层上俯视下与第1膜形成区域重合的位置;有机EL元件(20B),形成在基底层上俯视下与第2膜形成区域重合的位置;第1驱动电路部,形成在基底层,对有机EL元件(20G)的驱动进行控制;和第2驱动电路部,形成在基底层,对有机EL元件(20B)的驱动进行控制;第1驱动电路部的至少一部分及第2驱动电路部的至少一部分被配置成俯视下与第1膜形成区域重合。 | ||
搜索关键词: | 有机 el 装置 电子设备 | ||
【主权项】:
一种有机EL装置,其特征在于,包含基板的基底层;隔壁部,形成在所述基底层上,相互地划分相邻的第1膜形成区域和第2膜形成区域;第1有机EL元件,形成在所述基底层上俯视下与所述第1膜形成区域重合的位置;第2有机EL元件,形成在所述基底层上俯视下与所述第2膜形成区域重合的位置;第1驱动电路部,形成在所述基底层,对所述第1有机EL元件的驱动进行控制;和第2驱动电路部,形成在所述基底层,对所述第2有机EL元件的驱动进行控制;所述第1驱动电路部的至少一部分及所述第2驱动电路部的至少一部分被配置成俯视下与所述第1膜形成区域重合,所述第1有机EL元件能发出第1色光,所述第2有机EL元件能发出与所述第1色不同的第2色光,所述第1有机EL元件所具有的第1发光层和所述第2有机EL元件所具有的第2发光层通过不同的成膜方法形成,所述隔壁部划分所述第1膜形成区域及所述第2膜形成区域和相邻的第3膜形成区域,该有机EL装置具有:第3有机EL元件,形成在所述基底层上俯视下与所述第3膜形成区域重合的位置,并且能发出与所述第1色光及所述第2色光不同的第3色光;第3驱动电路部,形成在所述基底层,对所述第3有机EL元件的驱动进行控制;和第1数据线及第2数据线,俯视下配置在所述第2膜形成区域和所述第3膜形成区域之间,并且被配置成横穿所述第1膜形成区域;所述第3有机EL元件所具有的第3发光层通过与所述第1有机EL元件所具有的第1发光层不同的成膜方法形成,所述第3驱动电路部的至少一部分被配置成俯视下与所述第1膜形成区域重合,所述第1数据线与所述第1驱动电路部、所述第2驱动电路部及所述第3驱动电路部的任意一个驱动电路部电连接,所述第2数据线与所述第1驱动电路部、所述第2驱动电路部及所述第3驱动电路部中的除了与所述第1数据线电连接的驱动电路部以外的任一个驱动电路部电连接,所述第1驱动电路部、所述第2驱动电路部及所述第3驱动电路部分别具有薄膜晶体管和保持电容,所述第1驱动电路部、所述第2驱动电路部及所述第3驱动电路部所分别具有的所述薄膜晶体管,被配置在俯视下与所述第1膜形成区域重合的位置,所述第1驱动电路部所具有的所述保持电容被配置在俯视下与所述第1膜形成区域重合的位置,所述第2驱动电路部所具有的所述保持电容被配置在俯视下与所述第2膜形成区域重合的位置,所述第3驱动电路部所具有的所述保持电容被配置在俯视下与所述第3膜形成区域重合的位置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社,未经精工爱普生株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410508502.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的