[发明专利]具有多个用以储存电荷的电荷储存层的带隙工程存储器

摘要

本发明公开了一种具有多个用以储存电荷的电荷储存层的带隙工程存储器，该存储器包括一栅极、一通道材料、以及一介电叠层。通道材料具有一通道表面以及一通道价带边缘。介电叠层是位于栅极与通道表面之间。介电叠层包括一多层隧穿结构、一第一电荷储存氮化物层、一第一阻挡介电层、一第二电荷储存氮化物层、以及一第二阻挡氧化物层。多层隧穿结构是位于通道表面上。第一电荷储存氮化物层是位于该多层隧穿结构上。第一阻挡氧化物层是位于第一电荷储存氮化物层上。第二电荷储存氮化物层是位于该第一阻挡介电层上。第二阻挡氧化物层是位于第二电荷储存氮化物层上。

主权项

一种存储器，包括一存储单元阵列，该存储单元阵列中的各个存储单元包括：一栅极；一通道材料，具有一通道表面；一介电叠层，位于该栅极与该通道表面之间，该介电叠层包括：一多层隧穿结构，位于该通道表面上，该多层隧穿结构包括至少一第一隧穿介电层，该第一隧穿介电层具有一隧穿价带边缘(tunneling valence band edge)；一第一电荷储存介电层，位于该多层隧穿结构上；一第一阻挡介电层，位于该第一电荷储存介电层上；一第二电荷储存介电层，位于该第一阻挡介电层上；一第二阻挡介电层，位于该第二电荷储存介电层上；以及一控制电路，施加一偏压配置，该偏压配置选自多个偏压配置中，这些偏压配置包括：一编程偏压配置，该编程偏压配置是通过移动多个电子来编程数据，这些电子是从该通道表面经过该多层隧穿结构移动至该第一电荷储存介电层，该多层隧穿结构包括该第一隧穿介电层；以及一擦除偏压配置，该擦除偏压配置是通过移动多个空穴来擦除数据，这些空穴是从该通道表面移动至该第一电荷储存介电层。