[发明专利]芯片切割方法在审
| 申请号： | 201410509381.6 | 申请日： | 2014-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN104201153A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 史永军;冯建中 | 申请（专利权）人： | 北京思比科微电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;赵镇勇 |
| 地址： | 100085 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种芯片切割方法，芯片在切割过程中，首先进行镭射预切割至氧化层，将氧化层切掉10μm，并在氧化层的边缘部位增加阻焊层，使氧化层包裹在阻焊层内，然后进行终切割。阻焊层自芯片衬底的边缘向内缩进9至11μm。可以避免氧化层直接暴露在空气中，并方便抓取，增强产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片切割方法，其特征在于，所述芯片在切割过程中，首先进行镭射预切割至氧化层，并在氧化层的边缘部位增加阻焊层，使氧化层包裹在阻焊层内，然后进行终切割。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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