[发明专利]提高LED芯片电流扩展的方法及LED芯片

摘要

本发明提出了一种提高LED芯片电流扩展的方法及LED芯片，在高扩展透明导电层中形成多个孔洞，孔洞位于P电极尖端与形成在N电极平台上的N电极之间，从而能够解决P电极尖端电流易集中的问题，防止电流聚集，并且解决了高扩展透明导电层扩展引起的电压升高问题，使得LED芯片获得更低的电压。

主权项

一种提高LED芯片电流扩展的方法，其特征在于，包括步骤：提供芯片结构，所述芯片结构上设有外延层及N电极平台，所述外延层包括P‑GaN和N‑GaN，所述芯片结构表面暴露出P‑GaN，所述N电极平台暴露出N‑GaN；在所述P‑GaN上形成电流阻挡层，所述电流阻挡层包括电流阻挡层主体和电流阻挡层尖端，所述电流阻挡层尖端与所述电流阻挡层主体相连，所述电流阻挡层尖端靠近所述N电极平台；在所述P‑GaN上形成高扩展透明导电层，所述高扩展透明导电层覆盖所述电流阻挡层，所述高扩展透明导电层设有多个孔洞，所述高扩展透明导电层为ITO；在所述电流阻挡层上方的高扩展透明导电层表面形成P电极，在所述N电极平台上形成N电极，所述P电极包括P电极主体和P电极尖端，所述P电极尖端与所述P电极主体相连，所述P电极尖端靠近所述N电极平台，所述孔洞位于所述P电极尖端与N电极平台之间；在所述芯片结构、高扩展透明导电层的表面及孔洞中形成钝化层，所述钝化层暴露出所述P电极和N电极。