[发明专利]一种恒流二极管有效
| 申请号： | 201410510646.4 | 申请日： | 2014-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN104269443B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 刘肃;柴彦科;高桦;韦仕贡;张欣慰;谭稀;邓恒 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司11257 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种大恒定电流值的环状纵向结构恒流二极管。该二极管依次包括第一金属电极，半导体衬底，形成在半导体衬底上第一导电类型的外延层，该外延层的上部区域中形成具有第二导电类型的同心的掺杂圆形区和多个掺杂环形区，第二导电类型不同于第一导电类型，所述掺杂圆形区和各掺杂环形区与其间第一导电类型的外延层形成有源区。该二极管进一步包括形成在所述有源区之上的金属硅化物层，以及形成在所述金属硅化物层上的第二金属电极。在根据本发明的恒流二极管中，通过多个环状垂直沟道中电流的叠加，最终得到较大的恒定电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 | ||
【主权项】：
一种具有栅源短接的结型场效应管结构的恒流二极管，该二极管依次包括第一金属电极(701)，半导体衬底(702)，形成在半导体衬底(702)上的第一导电类型的半导体外延层(703)，其特征在于，该外延层(703)的上部区域中形成有第二导电类型的同心的掺杂圆形区(715)和多个掺杂环形区(705)，第二导电类型不同于第一导电类型，所述掺杂圆形区(715)和各掺杂环形区(705)与其间第一导电类型的外延层(703)形成有源区，该二极管进一步包括，形成在所述有源区之上的金属硅化物层(707)，以及形成在所述金属硅化物层上的第二金属电极(708)，其中如果所述第一导电类型为N型、第二导电类型为P型，用于形成金属硅化物层的缓冲金属的功函数低于外延层材料的功函数；或者如果所述第一导电类型为P型、第二导电类型为N型，用于形成金属硅化物层的缓冲金属的功函数高于外延层材料的功函数。
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