[发明专利]一种多磁芯饱和电抗器有效

专利信息
申请号: 201410510669.5 申请日: 2014-09-29
公开(公告)号: CN104217847A 公开(公告)日: 2014-12-17
发明(设计)人: 陈为;张丽萍;陈庆彬 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: H01F27/30 分类号: H01F27/30;H01F27/40
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350108 福建省福州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及一种多磁芯饱和电抗器。包括多个磁芯和绕设于各磁芯上的电感绕组,所述各电感绕组串联连接,所述各磁芯上还绕设有至少一个均磁绕组,所述磁芯上的均磁绕组通过一个阻抗相连接形成电回路,所述磁芯上的均磁绕组的相互连接是以所述磁芯上的均磁绕组为节点形成的至少单连通连接关系,即任意两个磁芯上的均磁绕组至少有一次相连接形成电回路,所述通过阻抗相连接的两个均磁绕组具有相同的匝数,且均通过同名端进行连接;所述阻抗为零或该阻抗为对预定频率段呈低阻抗特性;所述均磁绕组的匝数为一匝。所述磁芯上的均磁绕组设置结构,使得即使在各个磁芯的材料磁参数和气隙参数有一定不一致的情况下,仍可以保证各个磁芯的磁通完全相同。
搜索关键词: 一种 多磁芯 饱和 电抗
【主权项】:
一种多磁芯饱和电抗器,包括多个磁芯和绕设于各磁芯上的电感绕组,所述各电感绕组串联连接,其特征在于:所述各磁芯上还绕设有至少一个均磁绕组,所述磁芯上的均磁绕组通过一个阻抗相连接形成电回路,所述磁芯上的均磁绕组的相互连接关系是以所述磁芯上的均磁绕组为节点形成的至少单连通连接拓扑,即任意两个磁芯上的均磁绕组至少有一次相连接形成电回路;所述通过阻抗相连接的两个均磁绕组具有相同的匝数,且均通过同名端进行连接形成电回路。
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