[发明专利]一种半导体基片的预湿方法

摘要

本发明涉及TSV制程中半导体基片的预湿工艺。本发明公开了一种半导体基片的预湿方法，基片通过预湿腔进行预湿润处理，包括如下步骤：步骤一，将待湿润的基片放置于预湿腔内；步骤二，对预湿腔进行抽真空，以达到真空状态；步骤三：在真空状态下，向预湿腔内通入可溶性气体，同时监控预湿腔内的气压变化；步骤四，当预湿腔内的气压达到一期望阈值范围时，向预湿腔内注入填充液；步骤五，可溶性气体溶解于填充液，填充液沾湿并浸润基片；步骤六，使预湿腔恢复至常压状态，完成预湿处理。采用该方法能够使填充液深入到基片表面的深孔底部，大幅度提高了预湿效果。

主权项

一种半导体基片的预湿方法，所述基片通过预湿腔进行预湿润处理，其特征在于，包括如下步骤:步骤一：将待湿润的基片放置于预湿腔内；步骤二：对所述预湿腔进行抽真空，以达到真空状态；步骤三：在所述真空状态下，向所述预湿腔内通入可溶性气体，同时监控所述预湿腔内的气压变化；步骤四：当所述预湿腔内的气压达到一期望阈值区间时，向所述预湿腔内注入填充液；步骤五：所述可溶性气体溶解于所述填充液，所述填充液沾湿并浸润所述基片；步骤六：使所述预湿腔恢复至常压状态，完成所述预湿处理。