[发明专利]双面气相刻蚀装置有效
| 申请号： | 201410512991.1 | 申请日： | 2014-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN105448775B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 肖东风;贾照伟;王坚;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张振军 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体加工领域，更具体地说，涉及一种半导体硅片的双面气相刻蚀工艺。本发明提出了一种硅片的双面气相刻蚀装置，包括刻蚀腔，该刻蚀腔分别与输气系统和排气系统相连，刻蚀腔内刻蚀气体的进出及流通由输气系统后排气系统控制，在该装置的刻蚀腔内设置有至少3个导向轮，刻蚀过程中，导向轮位于与硅片重合的平面且沿着硅片的径向向内卡位，以将硅片卡持固定，导向轮分布于硅片的边缘位置处；导向轮中至少有一个与驱动装置相连并在该驱动装置的作用下发生滚动以带动所述硅片，硅片由导向轮传动而旋转；输气系统与喷嘴连接，喷嘴在硅片的侧方喷气，喷嘴喷出的气体流经硅片的正反两面。本发明还提出了一种双面气相刻蚀的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
1.一种硅片的双面气相刻蚀装置，包括刻蚀腔，所述刻蚀腔分别与输气系统和排气系统相连，刻蚀腔内刻蚀气体的进出及流通由所述输气系统和所述排气系统控制，其特征在于，所述刻蚀腔内设置有至少3个导向轮，在刻蚀过程中，所述导向轮位于与硅片重合的平面内且沿着所述硅片的径向向内卡位，以将所述硅片卡持固定，所述导向轮分布于所述硅片的边缘位置处；所述导向轮中至少有一个与驱动装置相连并在所述驱动装置的作用下发生滚动以带动所述硅片在刻蚀过程中保持旋转；所述输气系统与喷嘴连接，所述喷嘴在所述硅片的侧方喷气，所述喷嘴为扩散喷嘴，所述扩散喷嘴在各个位置处均匀地喷出气体，所述喷嘴喷出的气体流经所述硅片的正反两面。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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