[发明专利]显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201410513015.8 | 申请日: | 2014-09-29 |
公开(公告)号: | CN104517972B | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
发明(设计)人: | 朴清勋;梁昇龙 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L29/786 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 显示装置及其制造方法。一种公开的显示装置包括第一氧化物半导体层和氧化物半导体连接线,这二者均由基板上的氧化物半导体材料层形成。所述氧化物半导体连接线一体地连接至所述第一氧化物半导体层并且具有比所述第一氧化物半导体层低的薄层电阻。所述显示装置还包括所述第一氧化物半导体层上或者所述第一氧化物半导体层与所述基板之间的第一栅极。所述显示装置还包括所述第一氧化物半导体层与所述第一栅极之间的第一栅绝缘层。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种显示装置,该显示装置包括:基板上的第一氧化物半导体层,该第一氧化物半导体层是所述基板上的氧化物半导体材料层的第一部分;所述基板上的氧化物半导体连接线,其中,所述氧化物半导体连接线由所述氧化物半导体材料层的第二部分形成,所述氧化物半导体连接线一体地连接至所述第一氧化物半导体层,并且具有比所述第一氧化物半导体层低的薄层电阻;所述第一氧化物半导体层上的第一栅极;所述第一氧化物半导体层与所述第一栅极之间的第一栅绝缘层,其中,所述第一栅绝缘层具有与所述第一栅极相同的宽度;层间绝缘层,该层间绝缘层在所述氧化物半导体连接线和所述第一栅极上方并且具有在所述氧化物半导体连接线之上的接触孔;以及导电层,该导电层在所述层间绝缘层上并且通过所述接触孔连接至所述氧化物半导体连接线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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