[发明专利]导电桥存储器系统及其制造方法有效
| 申请号： | 201410513145.1 | 申请日： | 2014-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN104517988B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | E·玛什;T·奎克 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 曾琳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开内容涉及导电桥存储器系统及其制造方法。一种导电桥存储器系统及其制造方法包括：在下电极上提供具有孔的介电层，所述孔在下电极上方；在下电极上方并在所述孔中形成离子源层，该步骤包括：在下电极上方沉积再活化层，在再活化层上沉积第一离子源层，在第一离子源层上沉积另一再活化层，在所述另一再活化层上沉积第二离子源层；并且在离子源层上形成上电极。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 存储器 系统 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种导电桥存储器系统的制造方法，包括：在下电极上提供具有孔的介电层，所述孔在所述下电极上方；在所述下电极上方并在所述孔中形成离子源层，包括：在所述下电极上方沉积再活化层，在所述再活化层上沉积第一离子源层，在所述第一离子源层上沉积另一再活化层，在所述另一再活化层上沉积第二离子源层；和在所述第二离子源层上形成上电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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