[发明专利]一种全碳石墨烯器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201410513286.3 | 申请日： | 2014-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN104393027B | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 方英;杨龙;李红变 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/772;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 巩克栋,侯桂丽 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种全碳石墨烯器件及其制备方法。本发明的全碳器件由碳纳米管‑石墨烯复合膜(以下简称复合膜)源漏电极、石墨烯沟道和基底组成。首先，利用标准微加工工艺对转移到铜箔上的网状碳纳米管膜做图形化处理。进一步,在图案化铜箔上生长单层石墨烯。之后利用有机胶辅助转移的方法将其转移到各种类型的基底上得到全碳石墨烯器件。与现有石墨烯器件相比，本发明的全碳石墨烯器件为单片集成，工艺简单，力学性能优异，可用于制备便携式柔性器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种全碳石墨烯器件，包括源电极、漏电极、沟道、基底层，其特征在于，所述源电极和漏电极分别连接于沟道的两侧，所述基底层位于源电极、漏电极及沟道的下方；所述源电极和漏电极为碳纳米管‑石墨烯复合膜；所述沟道由石墨烯组成；所述源电极、漏电极与沟道为连续一体薄膜；所述基底层作为支撑层位于所述薄膜下面。
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