[发明专利]一种电化学抛光金属互连晶圆结构的方法

摘要

本发明提供一种电化学抛光金属互连晶圆结构的方法，包括：步骤一，电化学抛光晶圆产品中的部分晶圆，获取抛光一合格晶圆所需的平均时间T0，步骤二，测量晶圆产品中任一晶圆O的厚度前置D0，并与前值目标值D比对；步骤三，对晶圆O进行电化学抛光；步骤四，清洗晶圆O；步骤五，测量晶圆O的厚度后值D1；步骤六，判断晶圆O的厚度后值D1是否满足后值目标值D’的要求，将晶圆O返工或送入后续CMP模块；其中，抛光晶圆O所需的时间T＝T0+[(D0‑D)/(K*RR)]*60，RR为抛光速率，K为常系数，其中抛光速率RR随着抛光晶圆产品的批次数的增加而变缓，常系数K由晶圆产品的形貌决定。本发明的方法易于实行且效果明显，能够大幅度提高抛光晶圆产品的良率。

主权项

一种电化学抛光金属互连晶圆结构的方法，由电解液对晶圆进行抛光，其特征在于，包括：步骤一：电化学抛光晶圆产品中的部分晶圆，记录所述晶圆产品前N批次中所有厚度后值满足后值目标值D’要求的合格晶圆的数目n，以及抛光第i个合格晶圆所消耗的时间t_i并求其总和获取抛光一合格晶圆所需的平均时间T0，所述$T0=\left(\underset{i=1}{\overset{n}{\mathrm{\Σ}}}{t}_i\right)/n;$步骤二：测量所述晶圆产品中任一晶圆O的厚度前值D0，并与前值目标值D进行比对；步骤三：对所述晶圆O进行电化学抛光；步骤四：清洗所述晶圆O；步骤五：测量所述晶圆O的厚度后值D1；步骤六：判断所述晶圆O的厚度后值D1是否满足后值目标值D’的要求，将所述晶圆O返工重抛或送入后续CMP模块进行研磨处理；在对所述晶圆O进行所述电化学抛光前，计算抛光该晶圆O所需时间T，其中：T＝T0+[(D0‑D)/(K*RR)]*60，RR为抛光速率，K为常系数，其中所述抛光速率RR随着抛光晶圆产品的批次数的增加而变缓，所述常系数K由所述晶圆产品的形貌决定。