[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201410513588.0 | 申请日： | 2014-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN105529253B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 林艺辉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴圳添;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极堆叠结构；在所述栅极堆叠结构两侧的半导体衬底内分别形成源区和漏区；在所述半导体衬底上和所述栅极堆叠结构侧面形成层间介质层；刻蚀所述层间介质层，形成露出所述源区和漏区的接触孔；对所述接触孔的底部进行再氧化处理；在所述再氧化处理后，对所述接触孔的底部进行SiCoNi清洗；在所述SiCoNi清洗后，在所述接触孔的底部形成金属硅化物。所述形成方法能够提高所形成的半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 接触孔 衬底 栅极堆叠结构 半导体 半导体器件 再氧化 漏区 源区 清洗 层间介质层 金属硅化物 介质层 刻蚀 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极堆叠结构；在所述栅极堆叠结构两侧的半导体衬底内分别形成源区和漏区；在所述半导体衬底上和所述栅极堆叠结构侧面形成层间介质层；刻蚀所述层间介质层，形成露出所述源区和漏区的接触孔；对所述接触孔的底部进行再氧化处理；在所述再氧化处理后，对所述接触孔的底部进行SiCoNi清洗；在所述SiCoNi清洗后，在所述接触孔的底部形成金属硅化物；在所述再氧化处理后，且在所述SiCoNi清洗前，还包括进行清洗处理的步骤；在所述清洗处理采用的溶液为氨水、双氧水和水的混合物，所述溶液中氨水、双氧水和水的体积比为1:1～4:50～200。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
