[发明专利]MEMS器件及其形成方法有效
申请号: | 201410513657.8 | 申请日: | 2014-09-29 |
公开(公告)号: | CN105523519B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 阮炯明;张冬平 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;B81C1/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 高静,骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种MEMS器件及其形成方法。MEMS器件包括半导体基底、形成于半导体基底表面的凹槽和位于半导体基底上的悬臂梁。悬臂梁的悬空端悬空在半导体基底凹槽的上方,固定端固定在半导体基底表面;在悬臂梁的固定端上,由靠近凹槽至远离凹槽方向上至少设有两根固定齿,固定齿嵌于半导体基底表面以将悬臂梁固定在半导体基底内。使用时,悬臂梁的悬空端振动后,所产生的力分散至各个固定齿上,各个固定齿与半导体基底间形成多个受力点,且固定齿之间形成牵制,从而降低悬臂梁固定端出现振动,且可降低悬臂梁悬空端振动引起的力集中在固定端一个点上而致使该点受力过大而引起悬臂梁断裂的几率,提高悬臂梁的韧性,以及稳定性。 | ||
搜索关键词: | mems 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种MEMS器件的形成方法,所述MEMS器件为MEMS电容器件,其特征在于,提供半导体基底;在所述半导体基底中形成凹槽:在所述凹槽内填充牺牲层;刻蚀所述半导体基底表面,在所述半导体基底内由靠近所述牺牲层至远离所述牺牲层方向上形成至少两个开孔;在所述开孔内、半导体基底表面以及牺牲层表面形成悬臂梁材料层,位于所述开孔内的悬臂梁材料层用于形成固定齿;刻蚀位于半导体基底表面的所述悬臂梁材料层,在所述牺牲层和半导体基底上方形成悬臂梁,且所述悬臂梁的一端位于所述牺牲层表面;去除所述牺牲层,使得所述悬臂梁原先位于所述牺牲层上的一端悬空,空腔的位置为所述凹槽的位置,空腔结构的上方形成有与所述悬臂梁相对的电容片,所述电容片和悬臂梁组成电容器的两个电极板,悬臂梁可以上下振动从而使所述电容器的电容发生变化,以实现信号的传递。
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