[发明专利]一种片状硅粒子整流二极管的生产方法

摘要

本发明公开了一种片状硅粒子整流二极管的生产方法，包括下述步骤步骤一选取N‑型111面芯片进行扩散工序制得PN结芯片；步骤二把所述PN结芯片制作成为片状GPP芯片；步骤三把所述片状GPP芯片封装制造成片状硅粒子整流二极管。本发明所述片状硅粒子整流二极管的生产方法不会产生尖端电场区域，从而不会产生尖峰电场使得芯片被击穿，从而对芯片起到了一定的保护作用，并提高了芯片的有效载流面积和耐受电流强度。

主权项

一种片状硅粒子整流二极管的生产方法，包括下述步骤：步骤一：选取N‑型111面芯片进行扩散工序制得PN结芯片；步骤二：把所述PN结芯片制作成为片状GPP芯片；步骤三：把所述片状GPP芯片封装制造成片状硅粒子整流二极管；其中，在所述步骤二中，对所述PN结芯片通过光刻工艺、BOE沟槽刻蚀、RCA清洗和玻璃钝化步骤后得到圆形GPP芯片，对所述圆形GPP芯片切割后得到所述片状GPP芯片（5）；所述步骤三具体包括组焊步骤、涂覆保护胶步骤、一次固化步骤、去胶步骤、二次固化步骤和测试步骤。