[发明专利]单独封装同步整流器

摘要

一种同步整流器包括一个分立开关器件和一个用于控制分立开关器件的控制器，分立开关器件和控制器都安装在一个公共晶片托盘上，并且封装在单独封装中。分立开关器件和控制器共同封装在单独封装中，在控制器端口和开关器件之间提供最短的连接路径，使控制器精确传感开关器件的电压，从而避免寄生电感效应，使控制器在精确的时间使能/禁止开关器件，从而改善功率耗散，提供工作效率。

主权项

一种同步整流器，其特征在于，包含：至少一分立开关器件以及至少一控制器，控制器用于传感所述分立开关器件的电压，并根据分立开关器件传感电压，使能/禁止所述的分立开关器件，其中所述的分立开关器件及所述的控制器安装在一个半导体封装引线框的一个公共晶片托盘上，且封装在一个单独封装中，通过至少一层非导电材料，将所述的控制器粘接到所述的公共晶片托盘，所述的控制器与所述的公共晶片托盘电绝缘，所述的分立开关器件的至少一电极终端焊接在所述的公共晶片托盘上，所述的同步整流器连接到位于开关模式电源变压器的次级侧，所述的分立开关器件为BJT、MOSFET、IGBT以及SCR中的一种；所述的至少一电极终端为MOSFET的底部漏极，MOSFET具有底部漏极、顶部源极和顶部栅极，所述的底部漏极连接到位于开关模式电源变压器的次级侧；所述的单独封装包括一个接地引线，所述的MOSFET的源极通过多个接合引线或金属夹片连接到所述的接地引线；所述的控制器包括一个接地端，所述的控制器还包括一个栅极驱动端通过至少一个接合引线连接到所述MOSFET的栅极端；所述的控制器还包括一个电压传感端，所述的电压传感端通过向下引线连接到所述的公共晶片托盘，或者通过接合引线连接到所述的MOSFET的底部漏极。