[发明专利]脑深部刺激电极、装置及方法有效
| 申请号： | 201410517312.X | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104189995A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 豆美娟 | 申请（专利权）人： | 苏州景昱医疗器械有限公司 |
| 主分类号： | A61N1/05 | 分类号： | A61N1/05;A61N1/36 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种脑深部刺激电极，包括至少两组的输出电极触点，每一组输出电极触点中至少设有一个输出电极触点。第一组输出电极触点的至少一个输出电极触点在安装完成后，位于脑部的伏隔核部位；第二组输出电极触点的至少一个输出电极触点在安装完成后，位于脑部的内囊前肢部位。本发明还揭示了具有该电极的一种脑深部刺激装置及一种用于戒毒治疗的脑深部刺激方法。本发明实现用一根电极同时对伏隔核和内囊前肢双功能区联合刺激，且对不同脑内功能区可以施加针对性的刺激，提高了脑深部电刺激在戒除药物成瘾及强迫症、抑郁症等精神疾病治疗中的有效性和安全性。 | ||
| 搜索关键词： | 脑深部 刺激 电极 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种脑深部刺激电极，其特征在于，所述刺激电极包括至少两组的输出电极触点，一组输出电极触点中至少设有一个输出电极触点；其中，所述第一组输出电极触点的至少一个输出电极触点在安装完成后，位于脑部的伏隔核部位；所述第二组输出电极触点的至少一个输出电极触点在安装完成后，位于脑部的内囊前肢部位。
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