[发明专利]新型LED芯片的制作方法有效
| 申请号： | 201410517850.9 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104362226B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 吴伟东;高俊民;成涛;王占伟;于海莲 | 申请（专利权）人： | 山东成林光电技术有限责任公司;山东聚芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 257091 山东省东营市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型LED芯片的制作方法，包括MESA光刻和NP光刻，MESA光刻为对外延片表面蒸镀ITO层后涂光刻胶再进行MESA光刻形成具有MESA图层的光刻胶层，然后对ITO层进行ITO蚀刻以及对外延片表面进行向下蚀刻；最后去除具有MESA图层的光刻胶层；NP光刻具体为在ITO层和N‑GaN层台阶上蒸镀SiO2层后涂布光刻胶，再对光刻胶层进行NP光刻形成具有NP图层的光刻胶层；然后对所述SiO2层进行蚀刻；再然后在SiO2层蚀刻掉的区域形成P电极和N电极；最后去除所述具有NP图层的光刻胶层。本发明的方法有效降低生产成本，缩短生产周期，提高良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 led 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括步骤：S1、MESA光刻；包括步骤：S11、在外延片表面蒸镀ITO层；S12、在所述ITO层表面涂布一层光刻胶，并通过MESA光刻板对形成在所述ITO层上的光刻胶层进行MESA光刻，从而形成具有MESA图层的光刻胶层；S13、以所述具有MESA图层的光刻胶层作为掩膜对所述ITO层进行ITO蚀刻；S14、以所述具有MESA图层的光刻胶层作为掩膜进一步对所述外延片表面进行向下蚀刻，从而露出N‑GaN层台阶；S15、去除所述具有MESA图层的光刻胶层，从而露出P‑GaN层上的经ITO蚀刻后的ITO层；S2、NP光刻；包括步骤：S21、在P‑GaN层上的经ITO蚀刻后的ITO层和N‑GaN层台阶上蒸镀SiO2层；S22、在所述SiO2层表面涂布一层光刻胶，并通过NP光刻板对形成在所述SiO2层上的光刻胶层进行NP光刻，从而形成具有NP图层的光刻胶层；S23、以所述具有NP图层的光刻胶层作为掩膜对所述SiO2层进行蚀刻，从而分别将P‑GaN层上的经ITO蚀刻后的ITO层和N‑GaN层台阶上没有所述具有NP图层的光刻胶层覆盖的区域的SiO2层蚀刻掉；S24、在SiO2层蚀刻掉的所述区域对应形成P电极和N电极；S25、去除所述具有NP图层的光刻胶层。
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