[发明专利]一种铟柱倒焊互连的方法有效
申请号: | 201410519346.2 | 申请日: | 2014-09-30 |
公开(公告)号: | CN104393097B | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | 侯治锦;司俊杰;王巍;韩德宽;吕衍秋 | 申请(专利权)人: | 中国空空导弹研究院 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 郑州睿信知识产权代理有限公司41119 | 代理人: | 胡泳棋 |
地址: | 471009 *** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明涉及一种铟柱倒焊互连的方法,本发明首先测算整个面阵中,铟柱在互连时产生的最大偏差值,将该最大偏差值叠加到铟压缩量形成新铟压缩量,以该新铟柱压缩量进行倒焊互连,使面阵全部铟柱良好互连。 | ||
搜索关键词: | 一种 铟柱倒焊 互连 方法 | ||
【主权项】:
一种铟柱倒焊互连的方法,其特征在于,首先测算互连时铟柱间产生的最大偏差值,该最大偏差值为互连时,对应铟柱之间的最大距离与最小距离的差;该最大偏差值包括电路倾斜产生的最大偏差值与晶片倾斜产生的最大偏差值;将该最大偏差值叠加到设定铟压缩量形成新铟压缩量,以该新铟柱压缩量调整倒焊互连条件进行倒焊互连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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