[发明专利]一种MOCVD中InN/LT-AlN复合应力释放缓冲层技术在审
| 申请号： | 201410520437.8 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104319233A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 罗睿宏;张国义 | 申请（专利权）人： | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 523518 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在MOCVD机台中使用的InN/LT-AlN复合应力释放缓冲层技术。应力释放层是在MOCVD材料生长中一种重要功能层，能实现良好的应力释放效果，改善外延片的翘曲度以及晶体质量，尤其在GaN-On-Silicon这种存在巨大的热失配和晶格失配的异质材料外延生长中显得特别重要。本发明提供了InN/LT-AlN复合应力释放缓冲层技术，在LT-AlN(低温氮化铝)缓冲层生长前先沉积一层InN功能层，从而形成复合应力释放缓冲层，从而很好的释放异质生长中带来的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mocvd inn lt aln 复合 应力 释放 缓冲 技术 | ||
【主权项】：
一种MOCVD中InN/LT‑AlN复合应力释放缓冲层技术，其特征在于，在MOCVD异质外延生长中，插入InN/LT‑AlN复合应力释放缓冲层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
