[发明专利]一种MOS静电保护结构及保护方法

摘要

本发明提供一种MOS静电保护结构及保护方法，所述MOS静电保护结构至少包括在漏极区中制作的浅沟道隔离结构，所述浅沟道隔离结构包括沟槽和填充于所述沟槽内的介质层。本发明通过在所述漏极区中制作浅沟道隔离结构，漏极区的电阻绕过浅沟道隔离结构，使漏极区电阻长度增加，从而增大漏极区电阻值，减小电流，改善静电冲击电流部分的均匀性，提高静电保护能力。本发明与正常的浅沟道隔离结构工艺兼容，可以满足更高的器件使用场合要求，而且结构简单，适用于各种集成电路的静电保护应用领域。

主权项

一种MOS静电保护结构，其特征在于，所述MOS静电保护结构至少包括在漏极区中制作的浅沟道隔离结构，所述浅沟道隔离结构包括沟槽和填充于所述沟槽内的介质层；所述MOS静电保护结构还包括：第一导电类型衬底；结合于所述第一导电类型衬底表面的栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层和形成于所述栅介质层表面的栅极；所述栅极结构两侧的衬底中分别形成有第二导电类型的源极区和漏极区，由所述源极区和漏极区分别引出源电极和漏电极；所述漏极区包括第二导电类型轻掺杂漏极区和形成于所述第二导电类型轻掺杂漏极区中一端的第二导电类型重掺杂漏极区，所述浅沟道隔离结构形成于栅极结构和第二导电类型重掺杂漏极区之间的第二导电类型轻掺杂漏极区中，所述浅沟道隔离结构与所述栅极结构为非接触。