[发明专利]用于模数转换器的比较电路有效
申请号: | 201410520793.X | 申请日: | 2014-09-30 |
公开(公告)号: | CN104283566B | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | 朱磊;陈立颖;薛璐;孙东昱 | 申请(专利权)人: | 中航(重庆)微电子有限公司 |
主分类号: | H03M1/56 | 分类号: | H03M1/56 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 401331 重庆*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明提供一种用于模数转换器的比较电路,所述比较电路包括:第一运算放大器、第一失调校准电容、第二失调校准电容、第二运算放大器、比较器以及再生锁存器。本发明的比较电路,在达到普通比较器的性能要求的前提下,获得更高的精度及低功耗,有效降低了比较器的输入失调电压,可以应用于SAR型ADC转换器等模数转换器电路中。 | ||
搜索关键词: | 比较器 模数转换器 运算放大器 电容 校准 失调 模数转换器电路 输入失调电压 性能要求 低功耗 锁存器 再生 应用 | ||
【主权项】:
1.一种用于模数转换器的比较电路,其特征在于,所述比较电路包括:第一运算放大器,包括用于输入基准电压的第一输入端及用于输入比较电压的第二输入端,用于对输入基准电压及比较电压进行第一次放大;第一失调校准电容,其第一极连接于所述第一运算放大器的第一输出端,并通过第一开关连接于所述第一运算放大器的第一输入端,用于对所述第一运算放大器进行失调校准;第二失调校准电容,其第一极连接于所述第一运算放大器的第二输出端,并通过第二开关连接于所述第一运算放大器的第二输入端,用于对所述第一运算放大器进行失调校准;第二运算放大器,其第一输入端连接于所述第一失调校准电容的第二极,第二输入端连接于所述第二失调校准电容的第二极,用于对经过失调校准后的基准电压及比较电压进行第二次放大;比较器,连接于所述第二运算放大器,用于对放大后的基准电压及比较电压进行比较,输出数字信号;再生锁存器,连接于所述比较器,用于对所述比较器输出的数字信号进行采样及再生锁存;所述比较器包括第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管,其中:所述第五PMOS管的源极接电源,漏极连接于所述第六NMOS管的漏极及栅极,并与所述第八NMOS管的栅极相连,栅极连接于所述第六PMOS管漏极、第七PMOS管的漏极及栅极、第八PMOS管的栅极、第九PMOS管的漏极以及第四NMOS管的漏极;所述第六PMOS管的源极接电源,栅极连接复位信号,并与所述第十一PMOS管的栅极相连;所述第七PMOS管的源极接电源;所述第八PMOS管的源极接电源,漏极连接于所述第九PMOS管的栅极、第十PMOS管的栅极及漏极、第十一PMOS管的漏极、第十二PMOS管的栅极以及第五NMOS管的漏极;所述第九PMOS管的源极接电源;所述第十PMOS管的源极接电源;所述第十一PMOS管的源极接电源;所述第十二PMOS管的源极接电源,漏极与所述第八NMOS管的漏极相连,作为比较器的输出端;所述第四NMOS管的栅极连接基准电压,源极连接于所述第五NMOS管的源极、以及所述第七NMOS管的漏极;所述第五NMOS管的栅极连接比较电压;所述第六NMOS管的源极接地;所述第七NMOS管的栅极连接偏置电压,源极接地;所述第八NMOS管的源极接地。
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