[发明专利]一种MOS静电保护结构及保护方法在审
| 申请号： | 201410520810.X | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104392982A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 马先东;何明江;刘中旺 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 401331 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MOS静电保护结构及保护方法，所述MOS静电保护结构至少包括在漏极区中制作的重掺杂反型区，所述重掺杂反型区与所述漏极区的掺杂类型相反。本发明通过在所述漏极区中制作重掺杂反型区，漏极区的电阻绕过重掺杂反型区，使漏极区电阻长度增加，从而增大漏极区电阻值，减小电流，改善静电冲击电流部分的均匀性，提高静电保护能力。本发明与正常的MOS注入工艺兼容，可以满足更高的器件使用场合要求，而且结构简单，适用于各种集成电路的静电保护应用领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 静电 保护 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS静电保护结构，其特征在于，所述MOS静电保护结构至少包括在漏极区中制作的重掺杂反型区，所述重掺杂反型区与所述漏极区的掺杂类型相反。
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