[发明专利]一种硅片的硼掺杂方法

摘要

本发明公开了一种硅片的硼掺杂方法，包括如下步骤(1)在硅片表面设置含硼掺杂剂；然后将表面已含有含硼掺杂剂的硅片送入加热炉管，在氮气气氛下进行热处理；(2)通入氧气或氧气与氮气的混合气体，在步骤(1)的温度下进行恒温氧化；(3)降温至800~890℃，在步骤(2)的气氛下再次进行氧化处理；(4)停止通入氧气，降温，出舟。本发明的整个方法只需进行热处理、高温氧化和第二次氧化（低温氧化）即可，且可以在加热炉管中一次性完成，避免了现有技术中需要进行2次加热炉管的启闭以及清洗去除硼硅玻璃和钝化的步骤，从而大大简化了工艺步骤和工艺时间，具有积极的现实意义。

主权项

一种硅片的硼掺杂方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 在硅片表面设置含硼掺杂剂；然后将表面已含有含硼掺杂剂的硅片送入加热炉管，加热到900~1000℃，在氮气气氛下进行热处理，在硅片表面形成硼掺杂；(2) 通入氧气或氧气与氮气的混合气体，在步骤(1)的温度下进行恒温氧化；(3) 降温至800~890℃，在步骤(2)的气氛下再次进行氧化处理，时间为10~40分钟；一方面通过额外生长的氧化层，有效地稀释硼硅玻璃中硼的含量；另一方面可抑制硅中的硼继续向硼硅玻璃扩散；获得较好的稳定性与表面钝化效果；(4) 停止通入氧气，降温，出舟。