[发明专利]一种阻变随机存储器存储阵列编程方法及装置在审

专利信息
申请号: 201410521542.3 申请日: 2014-09-30
公开(公告)号: CN104318956A 公开(公告)日: 2015-01-28
发明(设计)人: 韩小炜 申请(专利权)人: 西安紫光国芯半导体有限公司
主分类号: G11C16/02 分类号: G11C16/02;G11C16/06
代理公司: 西安西交通盛知识产权代理有限责任公司 61217 代理人: 黄瑞华
地址: 710075 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明一种阻变随机存储器存储阵列编程方法,包括以下步骤:(1)初始化置位计数器和复位计数器;(2)读取目标单元数据并和要写入的数据进行比较,寄存每一位的比较结果C[i],n是每次同时写入的单元数目;根据比较结果C[i]产生写数据状态WDS;(3)判断写数据状态WDS,对于待写入数据不一致的目标单元进行复位或置位的写入操作,直至在预定义的次数内若写数据状态WDS变为写数据与目标单元数据完全一致则编程成功,否则编程失败。本发明一种阻变随机存储器存储阵列编程装置,包括分别用来记录编程中置位和复位时施加电压脉冲次数的置位计数器和复位计数器,读写电路,数据比较器,寄存模块,判断模块,复位模块和置位模块。
搜索关键词: 一种 随机 存储器 存储 阵列 编程 方法 装置
【主权项】:
1.一种阻变随机存储器存储阵列编程方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)初始化置位计数器scounter和复位计数器rcounter;置位计数器scounter和复位计数器rcounter分别用来记录存储阵列中一组存储单元进行置位和复位操作时施加的电压脉冲次数,输出信号分别为scnt和rcnt;其中,0≤scnt≤P-1;0≤rcnt≤P-1;P代表预定义允许施加的最大电压脉冲次数;(2)读取目标单元数据并和要写入的数据进行比较,寄存每一位的比较结果C[i],i=0,1,…,n-1,n是每次同时写入的单元数目;根据比较结果C[i]产生写数据状态WDS;(3)判断写数据状态WDS,对于待写入数据不一致的目标单元进行复位或置位的写入操作,直至在预定义的次数P内若写数据状态WDS变为写数据与目标单元数据完全一致则编程成功,否则编程失败;步骤(3)中进行写数据状态WDS判断时,a.若写数据状态WDS为写数据与目标单元数据完全一致时;编程成功;b.若写数据状态WDS为要写“1”的单元完全一致,写“0”的单元不完全一致时;进入复位流程,对低阻态单元进行复位后并更新写数据状态,若WDS变为写数据与目标单元数据完全一致时则编程成功,否则返回复位流程开始进行循环;c.若写数据状态WDS为要写“0”的单元完全一致,写“1”的单元不完全一致;进入置位流程,对高阻态单元进行置位后并更新写数据状态,若WDS变为写数据与目标单元数据完全一致时则编程成功,否则返回置位流程开始进行循环;d.若写数据状态WDS为写“1”和写“0”的单元均不完全一致,先进入置位或复位流程之一,后进入另一未执行流程;若在预定义的次数P内若WDS变为写数据与目标单元数据完全一致时则编程成功,否则编程失败。
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