[发明专利]功率半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410521547.6 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104377241B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 裴轶;李元;吴传佳 | 申请（专利权）人： | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人： | 吴开磊 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率半导体器件及其制造方法，所述功率半导体器件包括基片、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、源极、漏极、栅极、及位于势垒层上的结终端结构，结终端结构从栅极靠近漏极一侧的边缘处向漏极方向延伸。由于结终端结构和其下势垒层之间的晶格常数差异引起的压电效应，使得势垒层与沟道层界面处的二维电子气被部分耗尽。结终端结构可以有效改善势垒层的电场分布，提升器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件包括：基片；位于所述基片上的成核层；位于所述成核层上的缓冲层；位于所述缓冲层上的沟道层；位于所述沟道层上的势垒层；位于所述势垒层上的源极和漏极，以及位于所述势垒层上源极和漏极之间的栅极；位于所述势垒层上的结终端结构，所述结终端结构从栅极靠近漏极一侧的边缘处向漏极方向延伸，所述结终端结构的晶格常数大于势垒层的晶格常数；所述结终端结构部分覆盖所述势垒层，所述结终端结构的厚度从栅极向漏极方向递减。
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