[发明专利]NLDMOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410521717.0 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104319289A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 段文婷;刘冬华;钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NLDMOS器件，在P型硅衬底左部形成有N型深阱；在N型深阱上形成有P阱；在P型硅衬底右部形成有N阱；N型深阱同N阱间有P型硅衬底间隔区。本发明还公开了该种NLDMOS器件的制造方法。本发明的NLDMOS器件及其制造方法，深型N阱包P阱实现P阱与衬底隔离，缩小N型深阱尺寸至作为NLDMOS的沟道区的P阱处，并保证P阱与衬底隔离，而在作为NLDMOS的漂移区的N阱处不形成N型深阱，使漂移区N型掺杂浓度降低，从而使器件的关断击穿电压增加；增大N阱尺寸至N型深阱与鸟嘴之间，使栅氧化层下N型掺杂浓度增加，从而使导通击穿电压增加，同时保证导通电阻不至于过大。 | ||
| 搜索关键词： | nldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种NLDMOS器件，其特征在于，在P型硅衬底左部形成有N型深阱；在所述N型深阱上形成有P阱；在所述P型硅衬底右部形成有N阱；所述N型深阱同所述N阱间有P型硅衬底间隔区；所述P阱，中部形成有沟道区场氧；所述沟道区场氧左侧的P阱上形成有一重掺杂P型区，所述沟道区场氧右侧的P阱上形成有一重掺杂N型区；所述N阱中部形成有漂移区场氧；漂移区场氧右侧的N阱上形成有一重掺杂N型区；P阱上的所述重掺杂N型区到所述漂移区场氧之间的硅片上形成有栅氧化层；多晶硅栅形成在所述栅氧化层上面及所述漂移区场氧左部上面；所述P阱上的重掺杂P型区作为P阱引出端；所述P阱上的重掺杂N型区、N阱上的重掺杂N型区分别作为NLDMOS器件的源区、漏区引出端；所述N阱的N型掺杂浓度，大于N型深阱的N型掺杂浓度，并且小于重掺杂N型区的N型掺杂浓度；所述P阱的P型掺杂浓度，大于P型硅衬底的P型掺杂浓度，并且小于重掺杂P型区的P型掺杂浓度。
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